電子増幅器を真空中でﾍﾞｰｷﾝｸﾞすることは増幅器を電気的に安定せるために必要です。
短期間でのﾍﾞｰｷﾝｸﾞは、高い性能を維持するために、長期のﾍﾞｰｷﾝｸﾞは、増幅器のｹﾞｲﾝを保持するために必要な電圧の上昇を最小にします。このﾌﾟﾛｾｽは、宇宙空間での爆発のようなものを、長く継続して観測する場合などに簡単な不良を確認するために用いられます。

色々な荷電粒子や電磁波に対するMCPの検出効率は、それらの入射角度をｺﾝﾄﾛｰﾙすることで最適な状態になります。
この入射角度をｺﾝﾄﾛｰﾙするためにMCPのﾊﾞｲｱｽ角度を指定することができます。

ﾀﾞｲﾅﾐｯｸﾚﾝｼﾞは、高ｶｳﾝﾄﾚｰﾄにおいてMCPのﾊﾞｲｱｽ電流により最終的に制限されます。動作中の２次電子放出は、放射表面に電荷の消耗を起こし、電荷量が回復するまで増幅は起きません。
Extended Dynamic Range MCPのように、高ﾊﾞｲｱｽ電流のMCPは、この消耗を起こす水準が高くなっています。
低ﾊﾞｲｱｽ電流MCPは、明るいものが物理的に閉鎖されている場所にあるような弱い信号を増幅します。

MCPの中心にﾋﾞｰﾑ等を通過させるための穴をあけることができます。

End Spoilingは、ﾁｬﾝﾈﾙの出力側で出射される電子ﾋﾞｰﾑの範囲を限定します。
End Spoilingは、各チャンネルからの電子線をﾌｫｰｶｽする電子ﾚﾝｽﾞのような役割をします。
広いEnd Spoilingは、ﾁｬﾝﾈﾙを広げ、より高い位置分解能になり、ｹﾞｲﾝは比例して低くなります。反対に薄い場合は、高ｹﾞｲﾝで位置分解能が低くなります。

MCPをｹﾞｰﾃｨﾝｸﾞさせて使用する時などに、MCPにかける電圧をすばやくオン,オフさせる必要のあるばあいに金属抵抗が低いことが重要になります。

Hydrogen fired MCPは、表面の電極を持たず、そのため電子増幅を必要としないｶﾞｽﾌﾛｰやｺﾘﾒｰｼｮﾝｱﾌﾟﾘｹｰｼｮﾝに適しています。
特別な金属皮膜ﾊﾟﾀｰﾝを要求されるものに使用されます。

L/D比が大きくなると機械耐久性が増し、ｹﾞｲﾝを大きくし、ﾊﾟﾙｽｶｳﾝﾃｨﾝｸﾞにおけるﾊﾟﾙｽﾊｲﾄﾃﾞｨｽﾄﾘﾋﾞｭｰｼｮﾝ(PHD)を鋭くします。

通常の使用においてMCPの検出効率は、Open Area Ratio(OAR)により制限されます。より小さな穴径のMCPは高いOARを持ち結果として検出効率が高くなります。
標準のMCPのOARは、大体55-65%です。
OARのご指定がある場合はお問い合わせください。

実際の多くの使用目的に合うようにｽﾀﾝﾀﾞｰﾄﾞLong-Life MCPﾃﾞｨﾃｸﾀｰを色々開発しており、それらは真空ﾁｬﾝﾊﾞｰにすばやく簡単に取りつけられるようにﾃﾞｻﾞｲﾝされています。
標準的なものは、非磁性のSUS304の中に取りつけられ、300℃までのﾍﾞｰｷﾝｸﾞができます。
標準で、ｼﾝｸﾞﾙMCP(Channel Electron Multiplier Array,*CEMA*)と２つMCPを合わせたChevronで対応しています。