Long-Life MCP Selection Guide
 
使用目的により、下記より選択してください。
Detection Quality
TOF(Time-of-Flight)質量分析、残留ガス分析、ポイント検出器、ノンイメージ検出器として有効です。
Image Quality
イメージ及び位置検出器として有効です。
最適な読み出し系を使用することで、より高分解能のイメージが観察できます。
第2世代イメージインテンシファイヤー、超高速CRT、またESCA、2次イオン質量分析、VUV分光等に最適です。
Premium Quality
より鮮明な画質を要求される超精密イメージングに使用されます
超高速写真、第三世代イメージインテンシファイヤー、その他電子画像等の用途が考えられます。また検出器の信頼性、性能の限界が求められる宇宙科学にも使用されます。
 
18mm  直径 24.77mm(0.975")  最小有効径 19.56mm(0.770")
  Detection Image Premium
ポア径 10μm 5μm 8μm 10μm 5μm 8μm 10μm
ポア中心間隔 12μm 6μm 10μm 12μm 6μm 10μm 12μm
厚み 0.43mm 0.30mm 0.38mm 0.43mm 0.30mm 0.38mm 0.43mm
L/D 比 40:1 61:1 49:1 40:1 61:1 49:1 40:1
最小OAR 55% 62% 62% 55% 62% 62% 55%
最小ゲイン @1KV 2,000 3,000 2,000 2,000 3,000 2,000 2,000
ゲインの均一性 N/A ±30%
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
1.5-50μA 4-9μA 1.5
 -6μA
1.5
 -6μA
4-9μA 1.5
 -6μA
1.5
 -6μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
15-250μA
バイアス角度 5 deg.
  
25mm  直径 32.74mm(1.289")  最小有効径 26.42mm(1.040")
  Detection Image Premium
ポア径 10μm 25μm 10μm 10μm
ポア中心間隔 12μm 32μm 12μm 12μm
厚み 0.43mm 0.61mm 1.02mm 0.43mm 0.61mm 0.43mm
L/D 比 40:1 60:1 40:1 40:1 60:1 40:1
最小OAR 55% 50% 55% 55%
最小ゲイン @ 1KV 4,000* 4,000++ 4,000 4,000* 4,000++ 4,000*
ゲインの均一性 N/A ±30%
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
4-30μA 10-50μA 4-16μA 4-16μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
32-250μA 50-500μA 32-250μA
バイアス角度 12 deg. 8 deg. 12 deg.
* @900Volts   ++ @1200Volts
 
40mm  直径 50.04mm(1.970")  最小有効径 41.91mm(1.650")
  Detection Image Premium
ポア径 10μm 25μm 10μm
ポア中心間隔 12μm 32μm 12μm
厚み 0.46mm 1.02mm 0.46mm
L/D 比 40:1
最小OAR 55% 50% 55%
最小ゲイン @ 1KV 4,000
ゲインの均一性 N/A ±30%
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
8-40μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
80-700μA
バイアス角度 8 deg.
 
75mm  直径 86.61mm(3.410")  最小有効径 79.60mm(3.134")
  Detection
ポア径 25μm
ポア中心間隔 32μm
厚み 1.02mm
L/D 比 40:1
最小OAR 50%
最小ゲイン @ 1KV 10,000
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
20-60μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
60-750μA
バイアス角度 8 deg.
 
120mm  直径 127.0mm(5.00")  最小有効径 120.0mm(4.724")
  Detection
ポア径 25μm
ポア中心間隔 32μm
厚み 1.02mm
L/D 比 40:1
最小OAR 45%
最小ゲイン @ 1KV 10,000
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
50-200μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
200-1,000μA
バイアス角度 8 deg.
 
50mm×8mm  サイズ 50.03mm(2.127")×11.99mm(0.472")
       最小有効サイズ 50.038mm(1.97")×8.00mm(0.315")
  Detection
ポア径 25μm
ポア中心間隔 32μm
厚み 1.02mm
L/D 比 40:1
最小OAR 45%
最小ゲイン @ 1KV 10,000
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
10-50μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
50-100μA
バイアス角度 8 deg.
 
100mm×15mm  サイズ 105.16mm(4.14")×20.19mm(0.795")
        最小有効サイズ 101.168mm(3.98")×16.18mm(0.637")
  Detection
ポア径 25μm
ポア中心間隔 32μm
厚み 1.02mm
L/D 比 40:1
最小OAR 45%
最小ゲイン @ 1KV 10,000
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
6-30μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
30-375μA
バイアス角度 8 deg.
 
80mm×100mm  サイズ 97.03mm(3.82")×78.99mm(3.11")
        最小有効サイズ 93.04mm(3.66")×74.981mm(2.952")
  Detection
ポア径 25μm
ポア中心間隔 32μm
厚み 1.02mm
L/D 比 40:1
最小OAR 45%
最小ゲイン @ 1KV 10,000
バイアス電流(標準MCP)
  @ 最大印加電圧
70-300μA
バイアス電流(EDR MCP)
  @ 最大印加電圧
325-1,500μA
バイアス角度 19 deg.
 

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